Le Transistor CMOS

Ce travail de thčse est constitué de deux grandes parties. Dans la premičre partie, nous avons étudié la redistribution du B dans le Si(001), ŕ l'ambiante et aprčs recuit thermique, ŕ l'aide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cette étude, le Si a été fortement dopé en B. La concentration en B dans le Si peut alors dépasser la limite de solubilité. On est donc dans le cas d'un systčme sursaturé. Dans ce cas, nous avons observé qu'ŕ la formation de défauts (BIC's, etc...) s'ajoute la germination d'amas riches en B ou męme la précipitation d'une nouvelle phase aprčs recuit thermique. Dans la deuxičme partie, nous avons étudié la redistribution du B et du Pt dans le NiSi, utilisé lors de la miniaturisation des transistors MOS, afin de réduire la résistance de contact. A part l'accumulation du B ŕ l'interface NiSi/Si et ŕ la surface de NiSi, nous avons observé, la précipitation du B dans le monosiliciure de Ni, pour un recuit ŕ 450°C. En revanche, pour le Pt nous n'observons plus un phénomčne de précipitation. Il a plutôt tendance de ségréger aux interfaces ŕ 290°C (phénomčne de "chasse-neige "), tandis qu'au delŕ de 350°C, le Pt s'accumule plutot dans la phase NiSi.