Darmowa dostawa z usługą Inpost oraz Orlen od 299.00 zł
InPost 13.99 DPD 25.99 Paczkomat 13.99 Poczta Polska 18.99 ORLEN Paczka 10.99

Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design

Język AngielskiAngielski
Książka Miękka
Książka Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design Koichiro Ishibashi
Kod Libristo: 02097985
Wydawnictwo Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG, październik 2013
The recent development of advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM m... Cały opis
? points 304 b
516.53
Dostępna u dostawcy w małych ilościach Wysyłamy za 13-16 dni

30 dni na zwrot towaru


Mogłoby Cię także zainteresować


The recent development of advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses issues in the design of SRAM memory cells for advanced CMOS technology, including variability, leakage and reliability.

Informacje o książce

Pełna nazwa Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design
Język Angielski
Oprawa Książka - Miękka
Data wydania 2013
Liczba stron 144
EAN 9783642270185
ISBN 3642270182
Kod Libristo 02097985
Waga 248
Wymiary 155 x 235 x 9
Podaruj tę książkę jeszcze dziś
To łatwe
1 Dodaj książkę do koszyka i wybierz „dostarczyć jako prezent” 2 W odpowiedzi wyślemy Ci bon 3 Książka dotrze na adres obdarowanego

Logowanie

Zaloguj się do swojego konta. Nie masz jeszcze konta Libristo? Utwórz je teraz!

 
obowiązkowe
obowiązkowe

Nie masz konta? Zyskaj korzyści konta Libristo!

Dzięki kontu Libristo będziesz mieć wszystko pod kontrolą.

Utwórz konto Libristo