Vysokie tehnologii: algoritm upravleniya veshhestvom

Izlagajutsya osnovy teoreticheskogo opisaniya jelektronnogo stroeniya veshhestva, vystupajushhie v kachestve ishodnyh polozhenij dlya nauchno-metodicheskogo obespecheniya i soprovozhdeniya vysokih tehnologij. Predlagaemyj podhod k postroeniju prognosticheskoj teorii osnovan na obuslovlennosti svojstv veshhestva sostavom i jelektronnoj strukturoj sostavlyajushhih ego mikrochastic. Kljuchevym zvenom teorii vystupaet atom, kotoryj neset geneticheskuju informaciju o strukturoobrazovanii veshhestva. Jelektronnoe stroenie atomov predopredelyaet prirodu i mehanizm formirovaniya kovalentnoj svyazi kak fundamental'nogo yavleniya, lezhashhego v osnove strukturoobrazovaniya molekul i himicheskih soedinenij, a takzhe bol'shogo klassa neorganicheskih veshhestv. V svoju ochered' jelektronnoe stroenie molekul predopredelyaet prirodu i mehanizm formirovaniya nevalentnyh (fizicheskih) svyazej kak fundamental'nogo yavleniya, lezhashhego v osnove strukturoobrazovaniya bol'shogo klassa organicheskih veshhestv. Predlozhen ryad modelej fizicheskoj i himicheskoj svyazej, a takzhe sootvetstvujushhee teoreticheskoe opisanie, kotorye sluzhat fizicheskim obosnovaniem dlya postroeniya algoritma upravleniya svojstvami veshhestva.